第525章 分辨率10μm
    瓷飞厂是下定了决心，肖总远赴京城，但高振东这边的事情，还远远没完。
    此时的他，正在拿着防工委发过来的另一位五爷——轰炸机的资料，细细的计算着、考虑着。
    他想撬动的可不只是攻-5装雷达这个事情。
    就在他算得入神的时候，门被敲响了。
    高振东起身开门，门口是易中海和五道口分来的师妹马娟，马娟性格虽然比较直，有些男子的英气，但是心却是很细的，正合适代表分厂的电子实验室跟进一下光刻机的组装事宜。
    “高师兄，好消息好消息！”马娟不像伍升远那么一板一眼，在单位也叫高师兄，高振东听得还挺爽。
    “光刻机组装好了？”她和易中海一起过来，除了这个不可能有别的。
    “嗯嗯嗯，装好了，我们先试了试，各指标完全达标。”
    “太好了，走，看看去。”高振东把手上的东西一收，站起身就往光刻机试制车间走。
    易中海和马娟跟在后面，马娟笑道：“我们来的意思，就是想请你去主持一下最终的套刻精度试验。”
    高振东连连点头：“嗯，要试，要试。走！走！”
    其他的指标，可以说易中海带着大师傅们，在马娟的配合下基本上都完成了，这个套刻精度，算是最终的综合检验。
    走进光刻机试制车间，透过玻璃看向超净室，展现在高振东面前的是一个像是化学试验室里通风试验橱的东西，或者说是像搞生物的带生物防护的显微装置，别的都看不出干啥的，就是那台显微镜贼显眼。
    这台显微镜是用来人工对准和检查用的，主要解决套刻时的对准问题。高振东在掩模上设计了对准标志，但是对准这个操作，在这台光刻机上是人工操作，那台显微镜就是用来干这些事情的。
    按说这机器高振东来来去去，改来改去也见过不少次了，可以算是老伙计了，但是这次看见，还是心里泛起了一阵激动。
    可算是有结果了，这东西在高振东心里已经不是一台设备，而是一股气。
    高振东前世，在网上对线多年，对手能喷的东西，从逮着啥就能喷啥，慢慢演变为能喷啥才说啥。
    最后干脆成钉子户了，就在那少数几个领域蹲着不走了，任你东南西北风，我自巍然不动，嘴里只是说着“对呀对呀！……光刻机有几种光源，你知道么？”高振东看得愈不耐烦，拿着键盘走远。
    走远归走远，这几样东西的确是到他穿越为止，还没完全拿下的，至少是高端的没拿下，光刻机就是其中一种。
    他妈的，这辈子老子自己造一个玩玩，有几种光源我不知道，但是我知道这台能用，而且还挺好！
    高振东自己也换上防护服，和几名试验人员走进了超净室。
    试验人员早就把试验准备做好了，走进来之后，打开了几个开关，然后示意高振东：“高总，可以了。”
    高振东拿起专用夹具，从带干燥剂的硅片架里，小心的夹起了一片单晶硅片，放到了工件台上，然后扳动开关，硅片被吸附固定。
    这些单晶硅片已经经过清洗、干燥等处理，对光刻胶的附着力此时是最大的。
    然后高振东退后一步，将接下来的试验交给了马娟。
    要的就是一开始的那个爽感，至于具体操作，这些试验人员比他手脚麻利多了，专业的事情还是交给专业的人去做。
    要说高振东这个光刻机原始，那是真的原始，固定好硅片后，马娟开动开关，硅片开始旋转。
    这是高振东的设计，一步到位，光刻胶的涂布，他直接上了旋涂法，前世我们最早的光刻机是用什么方法涂布他不知道，但他知道综合性能肯定是旋涂法最好。
    旋涂法在单晶硅片这种平坦的简单表面涂布，平坦化能力强，容易控制厚度，涂层密度大，厚度均匀，不是没有缺陷，但是可以接受和处理。
    旋转很快达到了预设的转速，在涂料确定的情况下，涂层厚度这些涂布结果参数与转速高度相关，旋转的同时，工件台也在对硅片进行加热，这是为了进一步去除表面重新附着的水汽。
    这些小细节，都是高振东从前世带过来的，不起眼，但是很重要。
    加热时间满足预设要求之后，旋转也早已稳定，马娟拿起了滴管。????没错，就是化学试验用的那种滴管，一点儿都不高大上，但是对于高振东这个光刻机来说够用了。
    滴管天生就有不太精确的计量功能，例如一毫升水大概是15滴，总之就是当液体的粘稠度确定的话，那从滴管滴出来的每滴液体的体积基本上是一致的，换支滴管也是一样，只要是正常的滴管都一样。
    多余的光刻胶会被旋转的硅片给甩出去的，这也是旋涂的优点。
    马娟往旋转的硅片中心滴了一些光刻胶，光刻胶很快随着旋转，沿着硅片表面匀开来，非常均匀，仿佛不存在一样。
    这也是托光刻胶和硅片的粘附性很好的福，否则在上光刻胶之前，还得上一遍衬底，以加强光刻胶的附着。
    硅片缓缓停止旋转，此时，工件台再次开始对硅片进行加热，这是在固化光刻胶。
    固化完成后，马娟开始按动电钮，调整工件台，将硅片置于光学系统下的合适位置。
    虽然高振东要求东北光学所的同志搞的是160mm直径的投影范围，不过考虑到拉晶的成品率，以及光学系统的最大畸变出现在最边缘的原因，现在还是将硅片的规格定在了130mm，也就是大概5英寸的样子，不过这是我们的原生工艺，自然就不会用英寸作为硅晶圆的计量单位。
    作为最早最原始的光刻机，高振东使用的却并不是最原始的接触式光刻，这种方式硅片和掩模直接接触，分辨率比接近式要高。
    但接触式光刻，硅片上的光刻胶或者个别灰尘，会污染和损坏掩模，用来搞研究可以，搞批产不太好。
    他跨过接触式光刻，使用了接近式光刻，实际光刻的时候硅片和掩模之间有一个极小的距离，在10μm这个数量级，这样就可以避免掩模的损坏了。
    坏处嘛，接近式光刻的分辨率比接触式的要差，最好的情况，大概在2μm的样子，这对于高振东现在来说是够用的。
    使用接近式光刻，掩模和工件是分开的，这对于搞自动化光刻是有利的，这就是高振东将掩模放进光学系统的原因，掩模在光学系统里基本不动，运动的是工件台。
    找平之后，工件台控制硅片向掩模接近，最终达到设计中所设定的距离——20μm。
    这一次不用太过仔细的对齐，因为是第一次刻，严格对齐是套刻的事情，如果是套刻，还需要对齐套刻标记。
    接下来就是曝光、显影，听起来和胶片机摄影差不多，实际上原理也基本上一致。
    显影完毕，马娟开始用显微镜检查成像质量，耗时很长，估计她的眼睛都了，最终她抬起头，面带喜色的向高振东点了点头。
    这次的掩模，是工艺测试用标准掩模，看她这个样子，至少分辨率10μm是没问题了。
    “高师兄，和我们以前测试的一样，线宽10μm没有问题，很稳定。”
    如果成像质量有问题，那就得将硅片取出来，洗去光刻胶，准备从头再来。
    这年头，硅片很贵的，不能浪费，哪怕是到了几十年后，硅片没那么贵了，但还得洗，如果问题出在工艺的中后期的光刻道次上，前面的工艺也贵啊！
    高振东心中激动，向她点点头，示意继续。
    接下来按照正常的集成电路工艺，应该是送到其他工序去，根据光刻目的的不同，进行诸如蚀刻、掺杂、离子注入、金属去除等，但是这是测试光刻机的分辨率和套刻精度，这工序就不用做了，而且也没法做，这儿没那些东西。
    比如蚀刻，看起来简单，腐蚀就行，但实际上背后靠着一整条比较特殊的安全管理线，这边也建立一条那玩意，就搞麻烦了，又不是经常要用到。
    就更别提掺杂这些需要设备的工序了，更是没法做。
    考虑到显影之后，光刻胶就只剩下了需要的那一部分，试验人员的想法，是再上一次光刻胶，看看两次光刻显影结果的重叠程度。
    这也算是个笨办法，如果这种情况下，旧光刻工艺的残余物影响到新一次的光刻胶附着，导致试验效果不好的话，再考虑光刻——送1274蚀刻——光刻这个试验流程。
    光是线宽10μm，其实光刻机的制程是到不了10μm的，因为决定光刻机制程的，还有其他参数，其中很重要的一个就是套刻精度，也正是今天高振东最终要测试的东西。
    凡是做集成电路，哪怕工艺简单如pmos，都是需要套刻的，因为一次光刻连晶体管都做不出来，更别说形成完整电路了。
    (本章完)